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莱伯通包装跌落试验机
包装跌落试验机特点：满足/超过GB IEC,ASTM,ISTA等工业标准可执行平面，角，棱跌落精密的导向系统及气动驱动摆臂机构设计，摆臂脱离加速度大于3G采用双柱导向，液压缓冲吸收摆臂动能，动作平稳，可靠，噪音小自锁螺
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2024-09-27 |
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包装跌落试验机
包装跌落试验机特点：满足/超过GB IEC,ASTM,ISTA等工业标准可执行平面，角，棱跌落精密的导向系统及气动驱动摆臂机构设计，摆臂脱离加速度大于3G采用双柱导向，液压缓冲吸收摆臂动能，动作平稳，可靠，噪音小自锁螺
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2024-09-27 |
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EV系列电磁式振动试验机
电磁式振动试验机在实验室条件下模拟振动环境，测试各种振动试验应用领域中的冲击强度和可靠性。在实验室借助振动试验机系统可以模拟再现正弦、随机、谐振搜寻与驻留、典型冲击和道路仿真等模式。对于产品的质量保证
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2024-09-27 |
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高加速冲击试验机
高加速冲击试验机特点：升降机构为精密螺杆，采用精密马达驱动，两根精密导柱为导向，保证平台升降平顺，精密确保冲击数据准确。冲击底座采用气囊+避震阻尼器的结构设计，冲击时不影响楼板结构。冲击机座为无共振设
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2024-09-27 |
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激光椭偏仪介绍
激光椭偏仪介绍纹路晶片防反射涂层和钝化层可以在单晶和多晶硅晶片上测量。叠层防反射涂层可以分析SiO2/SiNx、Al2O3/SiNx和SiNx1/SiNx2的涂层。操作简单不管是专家还是初学者，光谱椭偏仪SE800PV都提供了简单的操作
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2024-09-24 |
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深硅刻蚀
进口深硅刻蚀介绍：低损伤刻蚀：由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。高速刻蚀：对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室
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2024-09-24 |
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反应离子刻蚀机
反应离子刻蚀机介绍工艺灵活性RIE蚀刻机SI591特别适用于氯基和氟基等离子蚀刻工艺占地面积小且模块化程度高SI591可配置为单个反应腔或作为片盒到片盒装载的多腔设备。SENTECH控制软件我们的等离子蚀刻设备包括用功能
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2024-09-24 |
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英国光栅刻蚀
英国光栅刻蚀介绍低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气
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2024-09-24 |
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